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ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個

ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個

來源:本站時間:2022-09-05瀏覽數:

明佳達只做原裝正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個,價格優勢,質量保證,歡迎咨詢QQ:1668527835電話:13410018555 郵箱:chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com

明佳達只做原裝正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個,價格優勢,質量保證,歡迎咨詢!


型號:NTMFS4C55NT1G

年份:最新21+

封裝:DFN

NTMFS4C55NT1G.jpg

NTMFS4 N溝道MV MOSFET是采用先進的功率溝槽工藝(結合屏蔽柵極技術)生產的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經過優化,可最大限度地降低導通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關性能。

NTMFS4 采用各種小尺寸封裝選項,可提高設計靈活性。


產品屬性

制造商:onsemi

產品種類:MOSFET

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8FL

晶體管極性:N-Channel

通道數量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續漏極電流:21.7 A

Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V

Qg-柵極電荷:14 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:33 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:7 ns

正向跨導 - 最小值:68 S

長度:6 mm

產品類型:MOSFET

上升時間:32 ns

系列:NTMFS4C55N

工廠包裝數量:1500

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關閉延遲時間:21 ns

典型接通延遲時間:11 ns

寬度:5 mm

單位重量:540 mg


公司長期回收MOS管NTMFS4C55NT1G場效應管,收購個人庫存,工廠庫存,電子元器件,5G模組,新能源模組,5G芯片,基站IC,人工智能IC,網絡IC,藍牙IC,手機IC,汽車IC,通信IC,家電IC,電源IC,驅動IC,物聯網IC和模組芯片,連接器,射頻模塊,存儲器,繼電器,MOS管,單片機,二三級管等產品。


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