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供應和收購MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

供應和收購MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

來源:本站時間:2022-09-01瀏覽數:

明佳達供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1,全新原裝,質量保證,價格優勢,有庫存呆料需處理的歡迎聯系,公司還回收一系列模塊如:5G、新能源、物聯網、車聯網、車規級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫療、工業、藍牙5.0、以太網、…

碳化硅 MOSFET 模塊 FS03MR12A6MA1B 該電源模塊采用新的 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V


描述:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

規格參數

FET 功能:碳化硅(SiC)

漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):400A(Tj)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.7 毫歐 @ 400A,15V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 240mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):1320nC @ 15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):42.5nF @ 600V

功率 - 最大值:20mW

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應商器件封裝:AG-HYBRIDD-2


功能總結

電氣特性

新型半導體材料——碳化硅

阻斷電壓 1200V

低RDSon

低開關損耗

低 Og 和 Crss

低電感設計 <10nH

T vj op= 150°C


機械特性

4.2kV DC 1sec 絕緣

高爬電距離和電氣間隙

緊湊的設計

高功率密度

直冷PinFin底板

高性能 Si3N4 陶瓷

PCB 和冷卻器組件的導向元件

集成 NTC 溫度傳感器

PressFIT 接觸技術

符合 RoHS 標準

UL 94 V0 模塊框架


產品型號:FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1

批次:最新21+

封裝:Module


明佳達供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1,全新原裝,質量保證,價格優勢,有庫存呆料需處理的歡迎聯系,公司還回收一系列模塊如:5G、新能源、物聯網、車聯網、車規級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫療、工業、藍牙5.0、以太網、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。


要求:只回收正規渠道貨源,如代理商、貿易商、終端工廠等,不接受不是正規渠道貨源。


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